Hans Hjelmgren: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (17)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Enhanced Mobility in InAlN/AlN/GaN HEMTs Using a GaN Interlayer

Malmros, Anna, Chen, Jr-Tai, Hjelmgren, Hans, Lu, Jun, Hultman, Lars, Kordina, Olof, Sveinbjornsson, Einar O., Zirath, Herbert, Rorsman, Niklas

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.75 MB

english, 2019

2

Extraction of an Electrothermal Mobility Model for AlGaN/GaN Heterostructures

Hjelmgren, Hans, Thorsell, Mattias, Andersson, Kristoffer, Rorsman, Niklas

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 318 KB

english, 2012

3

High Power-Density 4H-SiC RF MOSFETs

Gudjónsson, G., Allerstam, Fredrik, Ólafsson, H.Ö., Nilsson, Per Åke, Hjelmgren, Hans, Andersson, Kristoffer, Sveinbjörnsson, Einar Ö., Zirath, Herbert, Rödle, T., Jos, R.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 258 KB

english, 2006

4

Application Relevant Evaluation of Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs With Fe-Doped Buffer

Axelsson, Olle, Gustafsson, Sebastian, Hjelmgren, Hans, Rorsman, Niklas, Blanck, Herve, Splettstoesser, Jorg, Thorpe, Jim, Roedle, Thomas, Thorsell, Mattias

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.00 MB

english, 2016

5

Microwave Performance of âBuffer-Freeâ GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistors

Chen, Ding-Yuan, Malmros, Anna, Thorsell, Mattias, Hjelmgren, Hans, Kordina, Olof, Chen, Jr-Tai, Rorsman, Niklas

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2020

Файл:

PDF, 387 KB

2020

6

Numerical modelling of hot electron transport in A graded heterojunction diode

Hans Hjelmgren, Christopher M. Snowden

Журнал:

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 603 KB

english, 1992

7

Numerical simulations of the capacitance of forward-biased Schottky-diodes

Hans Hjelmgren, Erik Kollberg, Lennart Lundgren

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 341 KB

english, 1991

8

Thermionic emission in a hydrodynamic model for heterojunction structures

Hans Hjelmgren, Ting-Wei Tang

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 792 KB

english, 1994

9

Electro-thermal simulations of a microwave 4H-SiC MESFET on high purity semi-insulating substrate

Hans Hjelmgren, Kristoffer Andersson, Joakim Eriksson, Per-Åke Nilsson, Mattias Südow, Niklas Rorsman

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 778 KB

english, 2007

10

Optimization of the UTC-PD Epitaxy for Photomixing at 340

Biddut Banik, Josip Vukusic, Hans Hjelmgren, Jan Stake

Журнал:

Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 268 KB

english, 2008

11

An SiC MESFET-Based MMIC Process

Sudow, Mattias, Andersson, Kristoffer, Billstrom, Niklas, Grahn, Jan, Hjelmgren, Hans, Nilsson, Joakim, Nilsson, Per-ke, Stahl, Johan, Zirath, Herbert, Rorsman, Niklas

Журнал:

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.11 MB

english, 2006

12

SiC MESFET with a Double Gate Recess

Nilsson, Per Åke, Rorsman, Niklas, Südow, Mattias, Andersson, Kristoffer, Hjelmgren, Hans, Zirath, Herbert

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 414 KB

english, 2006

13

Evaluation of Thermal Versus Plasma-Assisted ALD Al2O3 as Passivation for InAlN/AlN/GaN HEMTs

Malmros, Anna, Gamarra, Piero, Forte-Poisson, Marie-Antoinette di, Hjelmgren, Hans, Lacam, Cedric, Thorsell, Mattias, Tordjman, Maurice, Aubry, Raphael, Rorsman, Niklas

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.06 MB

english, 2015

14

Influence of Passivation Oxide Properties on SiC Field-Plated Buried Gate MESFETs

Nilsson, Per Åke, Sudow, Mattias, Allerstam, Fredrik, Andersson, Kristoffer, Sveinbjörnsson, Einar Ö., Hjelmgren, Hans, Rorsman, Niklas

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 370 KB

english, 2009

15

High Frequency 4H-SiC MOSFETs

Gudjónsson, G., Allerstam, Fredrik, Nilsson, Per Åke, Hjelmgren, Hans, Sveinbjörnsson, Einar Ö., Zirath, Herbert, Rödle, T., Jos, R.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 258 KB

english, 2007

16

Impact of Channel Thickness on the Large-Signal Performance in InAlGaN/AlN/GaN HEMTs With an AlGaN Back Barrier

Malmros, Anna, Gamarra, Piero, Thorsell, Mattias, Hjelmgren, Hans, Lacam, Cedric, Delage, Sylvain Laurent, Zirath, Herbert, Rorsman, Niklas

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.02 MB

english, 2018

17

Enhanced Mobility in InAlN/AlN/GaN HEMTs Using a GaN Interlayer

Malmros, Anna, Chen, Jr-Tai, Hjelmgren, Hans, Lu, Jun, Hultman, Lars, Kordina, Olof, Sveinbjornsson, Einar O., Zirath, Herbert, Rorsman, Niklas

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2019

Файл:

PDF, 1.75 MB

2019